Giriş
SK Hynix, bellek üretim kapasitesini önümüzdeki beş yıl içinde ikiye katlayacağını resmen duyurdu. Şirketin COO’su Kim Woohyun, Seul’de düzenlenen bir etkinlikte yaptığı açıklamada hem DRAM hem de NAND flash bellek üretiminde kullanılan wafer kapasitesinin 2030 yılına kadar iki katına çıkarılacağını belirtti. Ancak bu büyük kapasiteartışına karşın şirket, yapay zeka kaynaklı bellek krizinin en az 2030’a kadar devam edeceğini öngörüyor.
Yapay Zeka Talebi Bellek Piyasasını Zorluyor
Yapay zeka teknolojilerindeki hızlı büyüme, küresel bellek talebini üreticilerin karşılayabileceğinin çok ötesine taşıdı. SK Hynix COO’su Kim Woohyun, konuya ilişkin çarpıcı verileri de paylaştı: Şu an itibarıyla yapay zekanın küresel elektrik tüketimine katkısı yalnızca yüzde 1 ile 2 arasında seyrediyorken bu oranın ilerleyen dönemde yüzde 10’u aşması bekleniyor. Öte yandan mevcut durumda veri merkezlerinin yalnızca yüzde 20 ila 30’unda yapay zeka yoğun iş yükleri çalışıyor; bu oranın ise kısa sürede yüzde 80 ile 90 bandına ulaşacağı tahmin ediliyor. Bu iki gerçek bir arada değerlendirildiğinde, önümüzdeki yıllarda bellek talebinin ne denli patlayıcı bir büyüme sergileyeceği daha net ortaya çıkıyor.
Kapasite Artışı Tek Başına Yeterli Olmayacak
SK Hynix, artan talebi yalnızca kendi üretim kapasitesini genişleterek karşılayamayacağının farkında. Bu nedenle şirket, diğer bellek üreticileriyle de aktif görüşmeler yürütüyor. Kim Woohyun, arz tarafının toplam taleple ayak uydurmasının mümkün olmayacağını ve bu durumun bellek kıtlığını 2030’a kadar uzatacağını açıkça ifade etti. Başka bir deyişle SK Hynix’in planlanan kapasite artışı, sektördeki açığı kapatmak için gerekli olan miktarın oldukça gerisinde kalıyor. Yapay zeka modellerinin giderek daha karmaşık bir hal alması ve veri merkezlerinin hızla yapay zeka merkezli bir yapıya kavuşması, bellek tedarik zinciri üzerindeki baskıyı sürekli artırıyor.
HBM Teknolojisi: Yapay Zekanın Özel Belleği
Yapay zekanın genel amaçlı bellekten farklı ve çok daha yüksek performanslı bir bellek türüne ihtiyaç duyduğunu vurgulayan Kim, bu bağlamda HBM (High Bandwidth Memory) teknolojisinin giderek daha fazla ön plana çıktığını belirtti. HBM, bant genişliğini dramatik biçimde artırmak amacıyla birden fazla DRAM yongasını
